由碳與氟反應,或一氧4化碳與氟反應,或碳化硅與氟反應,或氟石與石油焦在電爐里反應,或二氟二氯甲4烷與氟4化氫反應,或四氯4化碳與氟化銀反應,或四氯4化碳與氟化4氫反應,都能生成四氟化碳。在電子器件表面清洗、太陽能電池的生產、激光技術、氣相絕緣、低溫制冷、泄漏檢驗劑、控制宇宙火箭姿態、印刷電路生產中的去污劑等方面也大量使用。對于硅和二氧化硅體系,采用CF4-O2反應離子刻蝕時,通過調節兩種氣體的比例,可以獲得45:1的選擇性,這在刻蝕多晶硅柵極上的二氧化硅薄膜時很有用。
高純四氟化碳是純度在99.999%以上的四氟化碳產品,是一種無色無味氣體。高純四氟化碳不可燃燒,在常溫常壓條件下化學性質穩定,在密閉容器中遇高熱有危險,不溶于水,可溶于苯、等部分溶劑。四氟化碳是當前微電子工業中應用量高的等離子體蝕刻氣體,被廣泛應用在硅、氮化硅、磷硅玻璃等薄膜材料的蝕刻。除此之外,四氟化碳還能在電子電器表面清洗、激光、低溫制冷、太陽能電池等領域有著應用。由碳與氟反應,或與氟反應,或碳化硅與氟反應,或氟石與石油焦在電爐里反應,都能生成四氟化碳。
隨著芯片制程向7納米邁進,細微雜質對芯片的損害更為明顯,電子產業對高純電子氣體的純度要求進一步提高,在此背景下,我國高純四氟化碳生產技術與產品質量仍有提升空間。四氟化碳貯存注意事項:氣瓶使用和檢驗遵照《氣瓶安全監察規程》的規定。氣瓶內的氣體不能全部用盡,應該留不小于0.04MPa剩余壓力。我國人工智能、物聯網市場仍在不斷擴大,光伏發電累計裝機容量不斷上升,預計2020-2025年,我國高純四氟化碳市場需求將繼續以10.0%以上的增速增長。
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